肖特基二极管(SBD)
肖特基二极管是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,简称SBD)的简称。足近年来生产
的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时问极短(可以小到几纳秒),正向导通压降
仅0.4 V左右,而整流电流却可达到几千安培,这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
肖特基二极管是用贵重金属(金、银、铝、铂等)为正极,以N型半导体为负极,利用二者接触面
上形成的势垒具有整流特性而制成的金属一半导体器件。
肖特基二极管通常用在高频、大电流、低电压整流电路中
瞬态电压抑制二极管(TVS)
瞬态电压抑制二极管简称T V P管(transient—voltage—suppressor)。它是在稳压管的工艺基础
上发展起来的一种半导体器件,主要应用于对电压的快速过压保护电路中。可广泛用于计算
机、电子仪表、通信设备、家用电器以及野外作业的机载/船用及汽车用电子设备,并可以作
为人为引起的过电压冲击或霄电对设备的电击等保护元件。
瞬态电压抑制二极管按照其峰值脉冲功率可以分为四类:50()w、1000W、1500W、5000w。
每类按照其标称电压分为若干种。
瞬态电压抑制二极管在两端电压高于额定值时,会瞬间导通,两端电阻将以极高的速度从高阻
改变为低阻,从而吸收一个极大的电流,将管子两端的电压钳位在一个预定的数值上。